Memory Window Enhancement in Antiferroelectric RAM by Hf Doping in ZrO2 7. Juli 2022 IEEE Electron Device Letters >10.1109/LED.2022.3189159 Schlagwörter 2022, IEEE LED Schreibe einen Kommentar Antwort abbrechenDeine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiertKommentar * Name * E-Mail-Adresse * Website Name, E-Mail-Adresse und Website in diesem Browser für meinen nächsten Kommentar speichern.
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