Single-step reactive ion etching process for device integration of hafnium-zirconium-oxide (HZO)/titanium nitride (TiN) stacks 11. August 2021 Semiconductor Science and Technology>10.1088/1361-6641/ac1827 Schlagwörter 2021, Semiconductor Science and Technology Schreibe einen Kommentar Antworten abbrechenDeine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiertKommentar * Name * E-Mail * Website Meinen Namen, meine E-Mail-Adresse und meine Website in diesem Browser für die nächste Kommentierung speichern.