Size effect of electronic properties in highly arsenic-doped silicon nanowires 4. März 2021 Solid-State Electronics >10.1016/j.sse.2019.107724 Schreibe einen Kommentar Antworten abbrechenDeine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiert.Kommentar Name * E-Mail * Website Meinen Namen, meine E-Mail-Adresse und meine Website in diesem Browser speichern, bis ich wieder kommentiere.