Public Funded Projects

BamoSa

Wing-Zentrum: Batterie – Mobil in Sachsen (in cooperation with 8 german partners, finished)

ZweiGaN

Entwicklung von zwei-Schicht dotierten GaN-Bulk Substraten und vertikalen Bauelement-Strukturen zum Einsatz in Hoch-Volt Transistoren (in cooperation with 4 german partners, finished)

TeleGaN

Innovativer Einsatz energieeffizienter Materialien im Telekommunikationssektor (in cooperation with 3 german partners, finished)


KaSili

In-situ-Raman Untersuchungen an anodischen Schutzschichten von Silizium- und Lithium-basierten Anodenwerkstoffen (in cooperation with 3 german partners, started November 2019)


GaNESIS

Erforschung neuartiger Leistungselektroniksysteme auf Basis neuer Materialsysteme und Herstellungsverfahren (in cooperation with 6 german partners, started October 2019)


Tibet

Transparente, leitfähige und passivierende Elektroden für hocheffiziente Solarzellen (in cooperation with 4 german partners, finished)

Enkrist

Energieein-sparung durch Verfügbarkeit von besseren und kosten-günstigeren Karbid- und Nitrid- Halbleiterkristallen (in cooperation with 4 german partners, finished)


Falcon

Blitzlampen-basierte Aktivierung passivierender Kontakte für hocheffiziente Solarzellen. Materialentwicklung für passivierende Kontakte als Anwendung in hocheffizienten Solarzellen und deren Integration in Prototypen (in cooperation with one german partner, started October 2019)


Powerbase

Enhanced substrates and GaN pilot lines enabling compact power applications (in cooperation with 9 partners from 9 countries, finished)

UltimateGaN

Research for GaN technologies, devices, packages and applications to address the challenges of the future GaN roadmap (in cooperation with 26 partners from 9 countries, started May 2019) www.ultimategan.eu


BeNewFerroSynaptic

BEOL technology platform based on ferroelectric synaptic devices for advanced neuromorphic processors (in cooperation with 13 partners from 5 european countries, started January 2020). Dieses Projekt wird aus dem Forschungs- und Innovationsprogramm Horizont 2020 der Europäischen Union im Rahmen der Finanzhilfevereinbarung Nr. 871737 gefördert.

3eFerro – Energy Efficient Embedded Non-volatile Memory & Logic based on Ferroelectric Hf(Zr)O2 (in cooperation with 8 partners from 5 countries, started January 2018)

see also 3eFerro


FreiGaN

Entwicklung freistehender GaN-Wafer mit optimierten homogenen Eigenschaften (in cooperation with 1 German partner, started January 2019)

F-GaN

Entwicklung einer variablen und robusten Foundry-Prozesstechnologie für GaN-Bauelemente bei unterschiedlich gewachsenen epitaktischen GaN Schichten auf 200 mm Silizium-Wafern (in cooperation with one german partner, started July 2018)

EleGaNt

Entwicklung großflächiger Galliumnitrid-Substrate für vertikale GaN Transistoren (in cooperation with 2 german partners, finished)

Phönix

Phänomene und Technologien neuer höchst-energie-effizienter nichtflüchtiger Speicher basierend auf high-k-Metal Gate-Konzepten mit flexiblen Anwendungs-möglichkeiten (in cooperation with 3 german partners, finished)

EFFSIL300

Effiziente und sichere Leistungstransistoren auf Basis von 300mm Wafern (in cooperation with 6 german partners, started July 2017)

Zeus

Neue Zusatzfunktionalitäten von Technologievarianten basierend auf hoch-epsilon Dielektrika (in cooperation with 3 german partners, finished)

BiasMDP

Entwicklung einer 2D-Charakterisierung für Oberflächenpassivierungen in der Photovoltaik (in cooperation with 2 german partners, finished)

CoolMemory

Energieeffiziente Speicher für mobile Anwendungen: FeFET als neue Speichertechnologie und SRAM- Entwicklung in 28nm CMOS- Technologie (in cooperation with 4 german partners, finished)

GaNSi

Entwicklung einer 200mm GaN auf Silizium Wafertechnologie für die Herstellung von Leuchtdioden und Leistungselektronikbauelementen (in cooperation with 4 german partners, finished)

CoolE3NVM

Extrem energieeffiziente hoch zuverlässige nichtflüchtige Speicherbauelemente (in cooperation with 3 german partners, finished)


GaNHOCH – VTF

Geräteinvestition zur Entwicklung von GaN auf GaN Hoch-Volt- und Hoch-Frequenz Transistoren (started July 2019)


ReproNano

Reprogrammierbare Silizium Nanodraht Logik-schaltungen (finished)

Inferox

Inzipiente Ferroelektrika auf der Basis von Hafniumoxid (in cooperation with 3 german partners, finished)

Lamp

Locally Active Memristive Data Processing (in cooperation with 3 german partners, started in June 2016)

CfAED

Center for Advancing Electronics Dresden (excellence cluster in cooperation with 8 partners, finished)


HiMGaN

Neuartige Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke zur Anwendung in der Optoelektronik und für die Grundlagenforschung (in cooperation with one russian partner, started May 2019)


Galilei

Geräteinvestition zur Erforschung von Galliumnitrid als Substratmaterial für energiesparende nanoelektronische Bauelemente zum schnellen Schalten von großer Leistung (finished)


Memriox

Virtual Institute „Memory Effects in Resistive Ion-Beam Modified Oxides“ (in coorporation with 7 german partners, finished)


FMC

Die Ferroelectric Memory Company (finished)